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AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板

AMB氮化铝陶瓷电路板 AMB氮化硅陶瓷电路板

Amb是活性金属钎焊技术,陶瓷电路板采用AMB工艺制作后具有更高的热导率、铜层结合强度高等特点,而且其热膨胀系数与硅接近,可应用于高电压操作且没有局部放电现象。目前采用amb陶瓷制作工艺的是氮化铝陶瓷和氮化硅陶瓷,经过加工制作线路和打孔后分别称为AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板。

覆铜陶瓷基板.jpg

AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板的区别

AMB氮化铝陶瓷电路板采用的是氮化铝陶瓷基板作为基材,AMB氮化硅陶瓷电路板则是采用氮化硅陶瓷基板作为基材,两者的性能和应用有差异。

一,氮化铝陶瓷陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板性能和应用

氮化铝陶瓷陶瓷基板的性能和应用

氮化铝(AlN)陶瓷基板是一种新型的基片材料,具有优异的电性能和热性能,被认为是最有发展前途的高导热陶瓷基片。AlN陶瓷具有高热导率(理论热导率280W/m/K)、低介电常数(约为8.8)、与Si相匹配的热膨胀系数(293K-773K,4.8×10-6K-1)、高电阻率(>1014Ω?cm)和高击穿场强(1.4×107V/cm)、低比重(理论密度3.26g/cm3)、高机械强度(抗弯强度300-400MPa)、无毒等特点,成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料,在国防、航空航天、通讯、微电子等领域内应用前景十分广阔。

IGBT陶瓷基板.JPG

氮化硅陶瓷基板板材的性能和应用

氮化硅陶瓷基板导热率75-80W/(m·K),导热确实比不上氮化铝陶瓷基板,但是氮化硅陶瓷基板弯曲强度是氮化铝陶瓷基板的 2-3 倍,可以提高氮化硅陶瓷覆铜板强度和抗冲击能力,焊接更厚的无氧铜而不会产生瓷裂现象,提高了基板的可靠性

通过与厚铜基板的覆接,其热导率是氧化铝陶瓷基板 3-4 倍,大幅提高基板的散热性能;基板承载电流能力更强、基板整体散热性能更好、热阻更低、耐温度冲击能力更强。氮化硅陶瓷基板具有高强度、高导热、高可靠的特点,可用湿法刻蚀工艺在表面制作电路,经表面镀覆后制得的一种用于高可靠性电子基板模块封装的基板材料,是新型电动汽车功率控制模块的首选基板材料。产品在功率型发射器、光伏器件,IGBT 模块,功率型晶闸管、谐振器基座、半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途

      二 AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板的区别

AMB氮化铝陶瓷电路板导热率比AMB氮化硅陶瓷电路板更高,但是AMB氮化硅

陶瓷电路板抗弯曲强度更强,是氮化铝陶瓷基板的 2-3 倍。因为这些突出的特点也决定了他们各自突出的行业应有优势。

      以上是小编讲述的 AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板的区别,相信您对这两种陶瓷电路板的区别和特性以及应有有了较清楚的认识,企业可以更加产品性能需要选择合适的陶瓷电路板,更多详情可以咨询金瑞欣特种电路。


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