绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等领域，是电力电子领域中最重要的大功率器件，是绿色经济的核“芯”。

根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。再根据实现陶瓷基板覆铜后再刻蚀的不同工艺，当前较普遍的陶瓷散热基板分为 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工艺因可靠性更优，逐渐成为主流应用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工艺，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工艺，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工艺。

AMB（Active Metal Brazing，活性金属钎焊）工艺技术是DBC（Direct Bond Copper，直接覆铜）工艺技术的进一步发展。

AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金属焊料实现铜箔与陶瓷基片间的焊接。活性焊料通过在普通金属焊料中添加Ti、Zr、Hf、V、Nb或Ta等稀土元素制备，由于稀土元素具有高活性，可提高焊料熔化后对陶瓷的润湿性，使陶瓷表面无需金属化就可与金属实现焊接。

AMB基板制备技术是DBC基板工艺的改进(DBC基板制备中铜箔与陶瓷在高温下直接键合，而AMB基板采用活性焊料实现铜箔与陶瓷基片间键合)，通过选用活性焊料可降低键合温度(低于800°C)，进而降低陶瓷基板内部热应力。

目前国内的IGBT模块大部分还是采用DBC工艺，随着工作电压、性能要求的不断提升，AMB工艺技术的陶瓷基板能更好地解决上述痛点，目前该技术不仅在汽车领域，还在航天、轨道交通、工业电网领域广泛应用。

AMB 氮化硅基板是第三代 SiC 半导体功率器件首选

一方面，AMB 氮化硅基板具有较高的热导率（>90W/mK），厚铜层（达 800μm）还具有较高热容量以及传热性。因此，对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说，AMB 氮化硅基板是首选的基板材料。

另一方面，AMB 可将非常厚的铜金属（厚度可达 0.8mm）焊接到相对较薄的氮化硅陶瓷上。因此，载流能力较高，而且传热性也非常好。此外，氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第 3 代半导体衬底SiC 晶体接近，使其能够与 SiC 晶体材料匹配更稳定。

氮化硅是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能最好的陶瓷基板材料，这使氮化硅成为第 3 代SiC 半导体功率器件高导热基板材料的首选。据统计，当前 600V 以上功率半导体所用的陶瓷基板主要采用 DBC 和 AMB 工艺，其中 AMB 工艺 Si3N4陶瓷基板主要用于电动汽车（EV）和混合动力车（HV）功率半导体，AMB 工艺 AIN 陶瓷基板主要用于高铁、高压变换器、直流送电等高压、高电流功率半导体。