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氮化硅陶瓷基板为何受欢迎

氮化硅陶瓷基板


                                                                             氮化硅陶瓷基板为何受欢迎                     

      氮化硅基板在半导体领域应用非常多,核心是可以帮助半导体器件更好的散热。另外由于经常面临颠簸、震动等复杂的力学环境,基板材料也需一定的力学可靠性,氮化硅陶瓷基板各方面性能较平衡,是综合性能最好的结构陶瓷材料。今天小编要分享的是氮化硅陶瓷基板为何受欢迎?

氮化硅陶瓷基板具备哪些优势?

氮化硅(Si3N4),核心元素是氮元素和硅元素,有着及其广泛的应用。

进入智能化信息时代后,对电力电子器件还要求能够对电能进行变换和控制,由此便大大提升了器件的电控和功率转换性能要求与运行功耗,相应的,普通的基板已无法满足降低复杂功率器件热阻、控制运行温度、保障可靠性的高要求,必须更换性能更优的基板,新型功率陶瓷基板便应运而生。

IGBT陶瓷基板.JPG

 以下就是氮化硅陶瓷基板的优势特点:

 良好的绝缘性和抗电击穿能力;

高的导热率:导热性直接影响半导体期间的运行状况和使用寿命,散热性差导致的温度场分布不均匀也会使电子器件噪声大大增加;

热膨胀系数与封装内其他其他所用材料匹配;

良好的高频特性:即低的介电常数和低的介质损耗;

表面光滑,厚度一致:便于在基片表面印刷电路,并确保印刷电路的厚度均匀。

氮化硅陶瓷基板和氧化铝、氮化铝陶瓷基板的区别?

氮化硅陶瓷。它的高导热系数、高电流载荷,比较容易满足第三代功率半导体器件的散热需求,同时热膨胀系数与大多数半导体材料匹配,电气性能与机械性能也有不错的水平。

氧化铝虽然导热性能较差,无法跟上大功率半导体的发展趋势,但其制造工艺成熟,成本低,在中低端领域仍有很大的需求量。氮化铝的导热性能最好,与半导体材料有良好的匹配,可应用于高端产业,只是力学性能较差,影响半导体器件寿命,使用成本较高。氮化硅在综合性能方面表现最优,但入门门槛很高,目前国内很多科研单位和企业都在研究,但技术难度大,加工成本高,且市场较小,还未出现大规模应用的契机,这也是许多企业还在观望,未下定决心加大投入的原因。

氮化硅陶瓷基板已然适应了第三代半导体行业的需求。

适应第三代半导体,如氮化镓、碳化硅等性能要求的大功率陶瓷基板材料中,综合下来最有前途的材料就是:氮化硅陶瓷。它的高导热系数、高电流载荷,比较容易满足第三代功率半导体器件的散热需求,同时热膨胀系数与大多数半导体材料匹配,电气性能与机械性能也有不错的水平。

综合得出,氮化硅陶瓷基板要和第三代大功率半导体器件进行配套,是一个比较复杂的系统工程,不仅需要大规模资金的配合还要进行综合技术的整合。更多陶瓷基板的详情可以咨询金瑞欣特种电路。

 

 

 

 


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