返回列表页

氮化铝陶瓷基板制作技术有哪些关键问题

氮化铝陶瓷基板 陶瓷基板

氮化铝陶瓷基板在大功率器件领域,因其导热率而被市场受用。那么今天天小编要分享的氮化铝陶瓷基板制作技术的关键词问题。

一,氮化铝基板简介和应用概况

1.氮化铝材料有哪些突出特性

          氮化铝是氮和二元系列中唯一稳定的化合物,具有高的熔点和良好的导热特性。

          晶形:六方晶系钙钛矿型

          分解温度:2500摄氏度

         理论热导率:320W/m.k

         导热率是氧化铝的7倍,高温导热优于氧化铍;

        热膨胀系数:与硅热膨胀系数匹配

         电特性:高电绝缘,低介电常数;耐腐蚀特性:对熔融金属有优良的耐腐蚀特殊性。

  无毒,高纯,综合性能优异的电子封装材料。

LED陶瓷基板

  2,氮化铝应用背景。

 氮化铝陶瓷覆铜板满足高压IGBT模块,广泛应用于高铁、电动汽车、智能电网和新能源等“绿色经济”。氮化铝陶瓷封装基板满足大功率LED芯片散热的需求,在汽车大灯、室外照明、舞台灯等高速LED中应用广泛。氮化铝薄膜封装基板满足芯片功率散热、高频传输等方面,在光通讯中的TOSA/ROSA/TO中的PD、LD器件中应用广泛。氮化铝具有高热导率、高强度、低介电常数、热膨胀系数接近和无毒等优异的综合性能。

光通讯领域、微波通讯领域、LED领域等军民各个高功率需要氮化铝封装和基板作为关键散热材料。氧化铝是未来小型化、集成化、多功能电子封装发展必不可缺的材料之一,前景广阔。

二,氮化铝基板制作关键技术问题

1氮化铝粉体和烧结助剂选择。氮化铝粉体:高纯度、粒度小、比表面积大、碳含量低、氧含量低、杂质金属离低。烧结助剂于AIN粉表面的氧化铝成份在烧结过程中反应形成低熔点的复合氧化物,从而烧结体中产生液相。这些液相包围AIN颗粒,在毛细管力的作用下发生颗粒重排和内部气孔排出,最终实现AIN瓷的致密烧结。

2.氮化铝成型工艺流延成型:

       浆料稳定性及粘度的控制

      流延带料厚度均匀性控制

      带料X-Y方向收缩率控制

3. 氮化铝烧结工艺

       氮化铝陶瓷烧结需要注意的问题:

       选取合适烧结制度(升温制度、烧结温度、保温时间)

      采用合适的保护气氛防止氮化铝陶瓷的氧化

       烧结设备:温度均匀性

4. 氮化铝金属化工艺 氮化铝厚膜金属化

金属化体系:金属化结合力:2KG/平方毫米

表面覆铜100um满足电流承载需求

表面镀覆镍适合键合和焊接

5氮化铝薄膜基板:

采用磁控溅射工艺设备,线条精度高;可预制焊料、电阻等体系。

6 氮化铝覆铜板:

低热阻,由于它是铜点路板和陶瓷基板直接结合的简单结构;

可以直接安装硅片,因为它们的热膨胀系数相当;高可靠,可承载大电流。

7 氮化铝腹铝基板:低价格,制造成本低

良好的可塑性:有效的缓解界面热膨胀系数不同引起的热应力

液态铝与氮化铝为物理润湿:界面结合力高、无空洞、无过渡层。

8,氮化铝多层陶瓷封装

     氮化铝与钨金属化体系高温共烧;多层陶瓷布线设计满足电路要求;可以与金线进行焊接;气密性封装。

可见氮化铝是综合优异的电子陶瓷封装材料,满足系统集成的发展和需要;氮化铝粉体、流延成型工艺控制、烧结是陶瓷制备的关键工艺,特别是粉体材料亟待国产化;氮化铝陶瓷金属工艺是链接陶瓷与器件之间的纽带,需要开发系列化产品满足不同大功率场合应用环境。

 目前IGBT陶瓷基板在大功率使用方面的陶瓷板多医疗进口,金瑞欣作为电路板厂家能做的是做好陶瓷基板的生产,不断提升制作工艺和方法,为市场和客户提供优质的陶瓷电路板。目前主营的陶瓷基板有氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板,可以加工精密线路、实铜填孔、LED无机围坝工艺。

 

 

 

  

 

      

 


pcb线路板|深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司

金瑞欣——专业的电路板制造商

通过公司研发团队的不懈努力,现已成功研发微小孔板、高频板、氧化铝陶瓷板、金属基板、高TG厚铜板、高层背板、热电分离铜基板、铝基板、软硬结合板、HDI盲埋孔板等多种生产技术,以便为更多类别的客户服务,开拓列广泛的市场。

在线咨询在线咨询
咨询热线 4000-806-106

© 2018 深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司版权所有    技术支持:深度网

返回顶部